| 发明名称 | 无定形碳膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种无定形碳膜的形成方法。所述方法包括在基材上形成无定形碳膜之后，进行碳离子注入和退火处理。所述离子注入的原材料包括C16H10或者C7H7；离子束的剂量范围包括5E15～8E15/cm2；注入的能量范围包括5Kev～6Kev。所述退火处理的保护气体为氮气或者氦气；退火处理的时间范围包括30分钟～60分钟；退火处理的温度范围包括400～550℃。本发明无定形碳膜的形成方法，有效地提高了无定形碳膜的性能，避免了对后续半导体制程的不良影响，进而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103035513A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201110296097.1 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩;张彬 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种无定形碳膜的形成方法，其特征在于，在基材上形成无定形碳膜之后，进行碳离子注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||