| 发明名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供衬底，在该衬底上形成并行两个半导体鳍片、以及用于形成源/漏区的源/漏结构，其中，该源/漏结构分别与所述两个半导体鳍片的两端相连接；形成栅介质层以覆盖所述衬底、所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构；形成相互分离的第一栅极、第二栅极以及第三栅极，其中，所述第一栅极和第二栅极分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁上，所述第三栅极位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；在所述源/漏结构中形成源/漏区。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过在两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间形成了第三栅极，可以用于有效地调整双鳍型半导体器件的阈值电压，提高双鳍型半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103035577A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201110302970.3 | 申请日期 | 2011.10.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，该方法包括：a)提供衬底，在该衬底上形成并行两个半导体鳍片、以及用于形成源/漏区的源/漏结构，其中，该源/漏结构分别与所述两个半导体鳍片的两端相连接；b)形成栅介质层(400)以覆盖所述衬底、所述两个半导体鳍片以及所述源/漏结构；c)形成相互分离的第一栅极(501)、第二栅极(502)以及第三栅极(503)，其中，所述第一栅极(501)和第二栅极(502)分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁上，所述第三栅极(503)位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；d)在所述源/漏结构中形成源/漏区。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||