| 发明名称 | RF LDMOS中改善漏电的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种RF LDMOS中改善漏电的方法，包括：1）在多晶硅栅极刻蚀形成后，在牺牲氧化层表面和多晶硅栅极的周围，淀积第一氧化层；2）干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙；3）湿法去除栅极两侧的牺牲氧化层；4）进行源漏注入及侧墙工艺，完成RF LDMOS的制作。本发明不仅工艺实现简单，而且可减少干法刻蚀带来的等离子聚合物带来的损伤，降低漏电。通过本发明栅刻蚀后的工艺修复，可将漏电在原来基础之上降低至少一个数量级，而且没有对其他参数产生任何影响。 | ||
| 申请公布号 | CN103035529A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210180119.2 | 申请日期 | 2012.06.04 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 遇寒 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 高月红 |
| 主权项 | 一种RF LDMOS中改善漏电的方法，其特征在于，包括步骤：（1）在多晶硅栅极刻蚀形成后，在牺牲氧化层表面和多晶硅栅极的周围，淀积第一氧化层；（2）干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙；（3）湿法去除栅极两侧的牺牲氧化层；（4）进行源漏注入及侧墙工艺，完成RF LDMOS的制作。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||