溅射靶及其制造方法

摘要

本发明提供一种能通过溅射法形成良好地添加有Na的Cu-Ga膜的溅射靶及其制造方法。该溅射靶中，作为溅射靶的除氟(F)以外的金属成分，含有Ga：20～40at％、Na：0.05～1at％，余部具有由Cu和不可避免的杂质构成的成分组成，且Na以NaF化合物的状态被含有。该溅射靶的制造方法包括下述工序：形成由NaF粉末和Cu-Ga粉末的混合粉末，或者NaF粉末、Cu-Ga粉末和Cu粉末的混合粉末构成的成型体，然后在真空、惰性气体或还原气氛中烧结。

主权项

一种溅射靶，其特征在于，作为溅射靶的除氟(F)以外的金属成分，含有Ga: 20～40 at%、Na: 0.05～1 at%，余部具有由Cu和不可避免的杂质构成的成分组成，且Na以NaF化合物的状态被含有。2. 权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，具有在靶材料中分散有NaF的组织，并且所述NaF的平均粒径在5μm以下。3. 权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，靶材料中的Ga以Cu‑Ga二元合金的形态被含有。4. 制造权利要求1所述的溅射靶的方法，其特征在于，包括下述工序：形成由NaF粉末和Cu‑Ga粉末的混合粉末，或者NaF粉末、Cu‑Ga粉末和Cu粉末的混合粉末构成的成型体，然后在真空、惰性气体或还原气氛中烧结。5. 制造权利要求1所述的溅射靶的方法，其特征在于，包括下述工序：将NaF粉末和Cu‑Ga粉末的混合粉末，或者NaF粉末、Cu‑Ga粉末和Cu粉末的混合粉末在真空或惰性气体气氛中采用热压来烧结。6. 制造权利要求1所述的溅射靶的方法，其特征在于，包括下述工序：将NaF粉末和Cu‑Ga粉末的混合粉末，或者NaF粉末、Cu‑Ga粉末和Cu粉末的混合粉末通过热等静压来烧结。7. 权利要求4所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述成型体形成后的烧结在700～950℃下进行。8. 权利要求5所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，热压在500～800℃的温度下进行。9. 权利要求6所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，所述热等静压在温度：500～800℃且压力：30～150MPa的条件下进行。