| 发明名称 | 晶体半导体材料的制备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造晶体半导体材料的方法，其中将半导体材料的颗粒和/或半导体材料的前体化合物供入到具有足够高温的气流中，以便将半导体材料的颗粒由固态转变为液态和/或气态和/或以便热分解前体化合物。在又一步骤中，液态半导体材料从气流中冷凝和/或分离出来并转变成固态，形成单晶或多晶结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103038004A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201180019046.2 | 申请日期 | 2011.04.11 |
| 申请人 | 施米德硅晶片科技有限责任公司 | 发明人 | U·克拉特;C·施密德;J·哈恩 |
| 分类号 | B22D27/04(2006.01)I;C01B33/02(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I | 主分类号 | B22D27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 石克虎;林森 |
| 主权项 | 制造晶体半导体材料特别是晶体硅的方法，包括以下步骤：·向气流中供送半导体材料的颗粒和/或半导体材料的前体化合物，其中，所述气流具有足够高的温度，以将半导体材料的颗粒由固态转变成液态和/或气态，和/或以将所述前体化合物热分解，·从所述气流中冷凝出和/或分离出液态半导体材料，·将液态半导体材料转变成固态，形成单晶或多晶晶体结构。 | ||
| 地址 | 德国弗罗伊登施塔特 | ||