发明名称 |
宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器 |
摘要 |
本实用新型涉及一种宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器,包括:半导体激光器,半导体激光器座,光学耦合镜组,光学耦合镜组座,反射腔镜,反射腔镜座,激光晶体,激光晶体座,被动调Q晶体,被动调Q晶体座,输出腔镜,输出腔镜座,基板,以及外壳;该激光器在被动调Q晶体和输出腔镜间的光路中,还设有可变衰减器和可变衰减器旋转驱动器,所述可变衰减器固定在可变衰减器旋转驱动器上;所述可变衰减器和可变衰减器旋转驱动器可以使通过的激光的频率调整为符合被动调Q晶体的初始透过率的频率。本实用新型弥补了被动调Q激光器不能调节激光输出频率的缺点,保证了被动调Q输出激光的优异特性。 |
申请公布号 |
CN202872169U |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201220504291.4 |
申请日期 |
2012.09.28 |
申请人 |
长春新产业光电技术有限公司 |
发明人 |
李斌;姚矣;郑权 |
分类号 |
H01S3/16(2006.01)I;H01S3/08(2006.01)I;H01S3/11(2006.01)I;H01S3/0941(2006.01)I |
主分类号 |
H01S3/16(2006.01)I |
代理机构 |
长春菁华专利商标代理事务所 22210 |
代理人 |
张伟 |
主权项 |
一种宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器,包括:半导体激光器(1),半导体激光器座(2),光学耦合镜组(3),光学耦合镜组座(4),反射腔镜(5),反射腔镜座(6),激光晶体(7),激光晶体座(8),被动调Q晶体(9),被动调Q晶体座(10),输出腔镜(13),输出腔镜座(14),基板(15),以及外壳(16);所述半导体激光器(1)固定于半导体激光器座(2)上;光学耦合镜组(3)固定于光学耦合镜组座(4)中;反射腔镜(5)固定在反射腔镜座(6)内;激光晶体(7)固定在激光晶体座(8)内;被动调Q晶体(9)固定在被动调Q晶体座(10)内;输出腔镜(13)固定在输出腔镜座(14)内;输出腔镜座(14)均固定在基板(15)上,罩在外壳(16)中;输出腔镜(13)和反射腔镜(5)对称放置;其特征在于,该激光器在被动调Q晶体(9)和输出腔镜(13)间的光路中,还设有可变衰减器(11)和可变衰减器旋转驱动器(12),所述可变衰减器(11)固定在可变衰减器旋转驱动器(12)上;所述可变衰减器(11)和可变衰减器旋转驱动器(12)可以使通过的激光的频率调整为符合被动调Q晶体(9)的初始透过率的频率。 |
地址 |
130103 吉林省长春市高新区锦湖大路888号 |