发光二极管芯片结构

摘要

本实用新型涉及一种发光二极管芯片结构，包括衬底、P电极和N电极，衬底上淀积N型氮化镓层，在N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层；其特征是：所述P型氮化镓层上设有第一反射层，N型氮化镓层的端部刻蚀形成台阶，在台阶上设有第二反射层；所述第一反射层和P型氮化镓层上设有透明导电层，在透明导电层上淀积钝化层，钝化层包覆透明导电层下方的P型氮化镓层、N型氮化镓层和量子阱；在所述钝化层上设有第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔的底部与第一反射层相接触，第二接触孔的底部与第二反射层相接触，P电极填充于第一接触孔内，N电极填充于第二接触孔内。本实用新型提高了芯片的出光效率，延长了LED芯片使用寿命，安全可靠。

主权项

一种发光二极管芯片结构，包括衬底（1）及位于衬底（1）上方的P电极（5）和N电极（6），衬底（1）上淀积N型氮化镓层（2），N型氮化镓层（2）覆盖于衬底（1）上；在所述N型氮化镓层（2）上设有量子阱（3），量子阱（3）上设有P型氮化镓层（4）；其特征是：所述P型氮化镓层（4）上设有第一反射层（7），所述N型氮化镓层（2）的端部刻蚀形成台阶（11），在台阶（11）上设有第二反射层（8）；所述第一反射层（7）和P型氮化镓层（4）上设有透明导电层（9），透明导电层（9）覆盖于P型氮化镓层（4）上，并与P型氮化镓层（4）电连接；在所述透明导电层（9）上淀积钝化层（10），钝化层（10）覆盖于透明导电层（9）上，并包覆透明导电层（9）下方的P型氮化镓层（4）、N型氮化镓层（2）和量子阱（3）；在所述钝化层（10）上设有第一接触孔（12）和第二接触孔（13），第一接触孔（12）的底部与第一反射层（7）相接触，第二接触孔（13）的底部与第二反射层（8）和N型氮化镓层（2）相接触；所述P电极（5）填充于第一接触孔（12）内，P电极（5）与透明导电层（9）等电位连接；所述N电极（6）填充于第二接触孔（13）内，N电极（6）与N型氮化镓层（2）电连接。