发明名称 |
一种塑封外延型超快恢复二极管 |
摘要 |
本实用新型涉及一种塑封外延型超快恢复二极管,其创新点在于:包括外延型快恢复芯片、低应力环氧树脂、焊料、铜引线、纯锡镀层,铜引线为一对,铜引线的内端镦粗成锥形,在铜引线内端锥形之间设置外延型快恢复芯片,外延型快恢复芯片与两侧的铜引线内端焊接固定;外延型快恢复芯片采用低应力环氧树脂进行封装,露出低应力环氧树脂的铜芯线外镀纯锡镀层。本实用新型的优点在于:由于采用外延晶片可以很好地实现基区缓冲层结构。故外延片大幅度降低了反向电压),这样可以克服掺铂工艺正向电压降和反向时间折衷不佳的弊端,改善反向恢复特性,软度因子从0.3改善至1.0,同时发挥掺铂高温反向漏电流的突出优势。 |
申请公布号 |
CN202871802U |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201220581237.X |
申请日期 |
2012.11.07 |
申请人 |
如皋市大昌电子有限公司 |
发明人 |
赵宇 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 |
代理人 |
滑春生 |
主权项 |
一种塑封外延型超快恢复二极管,其特征在于:包括外延型快恢复芯片、低应力环氧树脂、焊料、铜引线、纯锡镀层,铜引线为一对,铜引线的内端镦头成锥形,在铜引线内端锥形之间设置外延型快恢复芯片,外延型快恢复芯片与两侧的铜引线内端焊接固定;外延型快恢复芯片采用低应力环氧树脂进行封装,露出低应力环氧树脂的铜芯线外镀纯锡镀。 |
地址 |
226500 江苏省南通市如皋市柴湾镇镇南村13组(本公司自有房屋内) |