氧化物烧结体及其制造方法、靶、使用该靶得到的透明导电膜以及透明导电性基材

摘要

本发明涉及一种氧化物烧结体及其制造方法、靶、使用该靶得到的透明导电膜以及透明导电性基材。本发明提供可以实现高速成膜和无结节的溅射用靶或离子电镀用片料，用于得到它们的最佳氧化物烧结体及其制造方法，以及使用该氧化物烧结体得到的蓝光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明提供的氧化物烧结体等的特征在于：在含有铟和镓作为氧化物的烧结体中，方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga2O3型结构的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子%以上、小于20原子%。

主权项

一种氧化物烧结体，其特征在于：在含有氧化物形式的铟和镓的氧化物烧结体中，方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，在主结晶相中，β‑Ga2O3型结构的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子%以上、小于20原子%，而且，下式定义的X射线衍射峰强度比为8%～58%，I[GaInO3相(111)]/{I[In2O3相(400)]+I[GaInO3相(111)]}×100[%](式中，I[In2O3相(400)]是方铁锰矿型结构的In2O3相的(400)峰强度，I[GaInO3相(111)]表示β‑Ga2O3型结构的复合氧化物β‑GaInO3相(111)的峰强度)。