| 发明名称 | 阶梯形漂移区的LDMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种阶梯形漂移区的LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有漂移区，所述漂移区的上表面具有阶梯状形貌，且从沟道到漏端方向漂移区的厚度递减，使得LDMOS器件工作时漂移区总是完全被耗尽。本申请还公开了其制造方法。本申请阶梯形漂移区的LDMOS器件可同时获得高击穿电压和低导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN103035717A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210264945.5 | 申请日期 | 2012.07.27 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 殷晓雪 |
| 主权项 | 一种阶梯形漂移区的LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有漂移区，其特征是，所述漂移区的上表面具有阶梯状形貌，且从沟道到漏端方向漂移区的厚度递减，使得LDMOS器件工作时漂移区总是完全被耗尽。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||