一种检测三氯氢硅纯度的方法及装置

摘要

本发明提供一种检测三氯氢硅纯度的方法及装置，方法包括(1)、将TCS储液罐中的TCS通过压力差压入缓冲罐，再从缓冲罐通过压力差压入反应罐；(2)、TCS在反应罐中与预先加入的水反应，使TCS与水反应生成硅化物和盐酸，同时TCS含有的金属杂质与氯离子反应生成金属氯化物；(3)、提取反应罐内的生成物后，用设备电感耦合等离子质谱进行分析，得到氯和金属的量，由氯换算成TCS的量，并计算出三氯氢硅的纯度。本发明的优点是：达到快速检验，装置取样简单，同时利用半导体厂现有的金属检验设备如ICP-MS(电感耦合等离子质谱)，避免了因劣质三氯氢硅污染设备而造成经济损失，且设备的利用率大大增加。

主权项

一种检测三氯氢硅纯度的方法，其特征在于：它包括以下几个步骤：(1)、将TCS储液罐中的TCS通过压力差压入缓冲罐，再从缓冲罐通过压力差压入反应罐；(2)、TCS在反应罐中与预先加入的水反应，使TCS与水反应生成硅化物和盐酸，同时TCS含有的金属杂质与氯离子反应生成金属氯化物；(3)、提取反应罐内的生成物后，用设备电感耦合等离子质谱进行分析，得到氯和金属的量，由氯换算成TCS的量，并计算出三氯氢硅的纯度。