一种OLED 器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种OLED器件及其制备方法，该OLED器件结构包括沉积在玻璃基板上的透明导电氧化物薄膜，在透明导电氧化物薄膜上依次蒸镀形成的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层，以及在电子注入层上蒸镀的阴极。在电子传输层中掺杂一定质量比的硒或锑，能够有效的提高器件载流子的传输效率，增强OLED器件的载流子传输能力。

主权项

一种OLED器件的制备方法，其特征在于：所述的制备方法按照以下步骤进行：步骤1）：在透明的玻璃基板上沉积一层厚度为10‑2000nm的透明导电氧化物薄膜；步骤2）：在由步骤1）透明导电氧化物薄膜上采用真空蒸镀的方法依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、及电子注入层，其中在所述电子传输层中掺杂质量百分比为0.5%‑10%的硒或锑，在该电子传输层中形成一个n型掺杂，所述硒或锑的蒸镀速率控制在0.02‑1埃米/秒；电子传输层的厚度控制在30‑80nm；步骤3）：在步骤2）制得的电子注入层上再采用真空蒸镀的方法蒸镀800‑2000nm的金属阴极。