| 发明名称 | 一种氮化物LED结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化物LED结构，包括衬底以及在衬底上生长的低温成核层和非掺杂氮化物层，在所述低温成核层上生长三维生长层，在所述三维生长层与所述非掺杂氮化物层之间设置有一AlxIn1-xN材料层，所述AlxIn1-xN材料层具有粗糙表面，所述AlxIn1-xN材料层的折射率与所述非掺杂氮化物层的折射率不同，其中，0＜x＜1。本发明还提供了氮化物LED结构的制备方法。本发明提供的氮化物LED结构，由于散射作用，改变了光线的传输方向，扩展了光出射的临界角度，提高了取光效率和外量子效率。本发明提供的制备方法能够与通常采用的LED外延生长工艺兼容，在反应室中一次完成，而不需要采取另外的加工或制程工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN102270718B | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201110209405.2 | 申请日期 | 2011.07.25 |
| 申请人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 | 发明人 | 于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种氮化物LED结构，包括衬底以及在所述衬底上生长的低温成核层和非掺杂氮化物层，所述低温成核层表面形成凸起结构，其特征在于，对凸起结构进行生长，形成粗糙的三维生长层表面，在所述低温成核层上生长三维生长层，在所述三维生长层与所述非掺杂氮化物层之间设置有一AlxIn1‑xN材料层，所述AlxIn1‑xN材料层具有与所述三维生长层相匹配的粗糙表面，所述AlxIn1‑xN材料层的折射率与所述非掺杂氮化物层的折射率不同，其中，0<x<1。 | ||
| 地址 | 201306 上海市浦东新区临港产业区新元南路600号行政办公中心二楼 | ||