| 发明名称 | 一种沟槽型功率器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例公开了一种沟槽型功率器件的制备方法，涉及半导体工艺技术领域，为解决由于多晶硅表面的凸起以及多晶硅干法刻蚀过程中聚合物残留所导致的多晶硅残留问题而发明。所述沟槽型功率器件的制备方法，包括：在衬底上设置硬掩膜层；在所述硬掩膜层上设置过渡层；在所述过渡层上进行光刻，形成沟槽窗口；在所述衬底上与所述沟槽窗口对应的区域形成沟槽；向所述沟槽内填充多晶硅；采用抛光的方式将所述沟槽以外区域的多晶硅研磨掉。本发明可用于半导体芯片及集成电路制造领域。 | ||
| 申请公布号 | CN102263030B | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201010189988.2 | 申请日期 | 2010.05.25 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里;赵文魁 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上设置硬掩膜层；在所述硬掩膜层上设置过渡层；在所述过渡层上进行光刻，形成沟槽窗口；在所述衬底上与所述沟槽窗口对应的区域形成沟槽；向所述沟槽内填充多晶硅；采用抛光的方式将所述沟槽以外区域的多晶硅研磨掉；所述采用抛光的方式将所述沟槽以外区域的多晶硅研磨掉具体为：采用抛光的方式进行所述沟槽以外区域的多晶硅的研磨，当抛光速率发生变化时，停止抛光，或者当抛光速率发生变化时，继续进行一定时间的抛光后停止抛光。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||