发明名称 |
一种高纯铝硅碳片状粉体的合成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种铝硅碳片状粉体的制备方法。该方法包括下述步骤:1)按照下述质量百分比称取原料:Al2O3原料45-60%、SiO2原料10%20%、碳原料25-40%和SiC原料14%,将所述原料混合,得混合料;2)将所述混合料在CO和Ar混合气氛中,于1900-2200℃加热2-5小时,冷却后,除去产物表面的杂质层,即得到铝硅碳片状粉体;所述混合气氛的总压力为1个大气压。本发明的方法简便易行、所得产品的产率、纯度均较高,适于规模化生产。所得到的铝硅碳片状粉体的长宽尺寸50~200μm,厚度4~5μm。该铝硅碳的片状结构,有利于加强陶瓷制品的结构,提高制品的强度、抗急冷急热性、抗化学腐蚀性。 |
申请公布号 |
CN102211934B |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201010143874.4 |
申请日期 |
2010.04.07 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
赵建立;汪长安;黄勇;白春丽;白周义 |
分类号 |
C04B35/515(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/515(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅 |
主权项 |
一种铝硅碳片状粉体的制备方法,包括下述步骤:1)按照下述质量百分比称取原料:Al2O3原料45‑60%、SiO2原料10%‑20%、碳原料25‑40%和SiC原料1‑4%,将所述原料混合,得混合料;2)将所述混合料在CO和Ar混合气氛中,于1900‑2200℃加热2‑5小时,冷却后,除去产物表面的杂质层,即得到铝硅碳片状粉体;所述混合气氛的总压力为1个大气压。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华园1号清华大学 |