边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底以及其制造方法

摘要

本发明公开了一种边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底以及其制造方法。在本发明的边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底中，栅极电极与共通电极是由同一光刻工艺形成在基底上，共通电极、栅极线以及栅极电极是设置在同一层，且保护层设置在像素电极上。保护层具有多个第一开口，且各第一开口至少部分暴露像素电极。

主权项

一种边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；进行一第一光刻工艺，用以在该基底上形成多条栅极线、多个栅极电极以及一共通电极，该第一光刻工艺包括：形成一第一导电层于该基底上，并在该第一导电层上形成一第一图案化光阻；去除未被该第一图案化光阻覆盖的该第一导电层，用以在该基底上形成该多个栅极线与该多个栅极电极；形成一第一透明导电层，覆盖该基底与该第一图案化光阻；以及剥离该第一图案化光阻以及覆盖在该第一图案化光阻上的该第一透明导电层，用以在该基底上形成该共通电极；形成一栅极介电层，用以覆盖该基底、该多个栅极线、该多个栅极电极以及该共通电极；进行一第二光刻工艺，形成一图案化半导体层于该栅极介电层上；进行一第三光刻工艺，形成多条数据线、多个源极电极以及多个漏极电极于该栅极介电层与该图案化半导体层上；进行一第四光刻工艺，形成多个像素电极于该栅极介电层上，其中各该像素电极与对应的该漏极电极接触用以形成电连结；以及进行一第五光刻工艺，形成一保护层于该栅极介电层、该多个数据线、该多个源极电极、该多个漏极电极以及该多个像素电极上，其中该保护层具有多个第一开口，且各该第一开口至少部分暴露该像素电极。