发明名称 |
一种增强型绝缘硅复合材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种增强型绝缘硅复合材料及其制备方法,所述增强型绝缘硅复合材料,包含中间绝缘层;所述中间绝缘层的上表面和下表面分别设置有单晶硅片;所述中间绝缘层,包含二氧化硅基多元无机复合材料层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的上表面设置有第一二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的材质的化学式为SiO2-ZnO-B2O3;本发明方案能够保持有完整的单晶硅晶格结构,不需采用复杂昂贵设备,整体制备工艺简单、易行、低成本;所述增强型绝缘硅复合材料的制备方法可调节中间绝缘层的各组分的厚度和深度分布,不需采用复杂昂贵设备,整体制备工艺简单、易行且制成的产品的电学性能优良。 |
申请公布号 |
CN103035655A |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201210591307.4 |
申请日期 |
2012.12.29 |
申请人 |
黄志强 |
发明人 |
黄志强 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 |
代理人 |
张一鸣 |
主权项 |
一种增强型绝缘硅复合材料,包含中间绝缘层;所述中间绝缘层的上表面和下表面分别设置有单晶硅片;其特征在于:所述中间绝缘层,包含二氧化硅基多元无机复合材料层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的上表面设置有第一二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元无机复合材料层由二氧化硅基多元无机复合材料制成,所述二氧化硅基多元无机复合材料的化学式为SiO2‑ZnO‑B2O3。 |
地址 |
215100 江苏省苏州市吴中区木渎镇金枫路198号12栋101 |