EUV曝光设备

摘要

一种EUV光刻投影曝光系统的投影透镜，具有至少两个反射光学元件，每个反射光学元件包括主体和反射表面，用于在以EUV光的曝光功率对投影透镜曝光时，将分划板上的物场投影到衬底上的像场上，其中至少两个反射光学元件的主体包括具有与温度相关的热膨胀系数的材料，热膨胀系数在相应的零交叉温度处为零，并且其中零交叉温度之间的差异的绝对值大于6K。

主权项

一种EUV光刻投影曝光系统的投影透镜，包括至少两个反射光学元件Mi，每个反射光学元件Mi·包括主体MBi和反射表面MSi，用于在以EUV光的曝光功率对所述投影透镜曝光时将分划板上的物场投影到衬底上的像场上，所述EUV光在所述分划板由所述EUV光刻投影曝光系统的照射系统照射时从所述分划板反射，其中·至少两个反射光学元件的主体MBm，MBn包括具有与温度相关的热膨胀系数的材料，所述热膨胀系数在相应的零交叉温度T0m，T0n处为零，其中·所述零交叉温度T0m，T0n之间的差异的绝对值大于6K，表达为abs(T0m‑T0n)>6K，并且其中·所述投影透镜设计为以波长在小于50nm的波长范围中的EUV光的大于8W的曝光功率曝光。