| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。根据本发明的实施例，通过在具有粘性箔片的框架上布置多个半导体器件来制造半导体器件。多个半导体器件被附接至粘性箔片。利用二氧化碳雪喷射和/或激光工艺将多个半导体器件从具有粘性箔片的框架移除。 | ||
| 申请公布号 | CN103035572A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210378125.9 | 申请日期 | 2012.10.08 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 塞巴斯蒂安·贝恩里德;阿道夫·科勒;斯特凡·马滕斯;马蒂亚斯·沃佩尔 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;B23K26/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;李静 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将多个半导体器件布置在具有粘性箔片的框架上，所述多个半导体器件附接于所述粘性箔片；以及利用二氧化碳雪喷射将所述多个半导体器件从具有所述粘性箔片的所述框架移除。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||