一种半导体单元的分离方法

摘要

本发明提供一种半导体单元的分离方法，先于半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；然后将所述半导体原件粘附于一贴膜或基板上；接着依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以形成由多个切割孔组成的切割阵列；然后通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透所述半导体衬底的裂痕；最后进行扩膜，以完成分离。本发明不需要裂片机便可实现半导体单元的分离，可以大幅降低生产成本；方法过程简单，有效缩短生产的时间，可以有效地提高产能；进行背镀等制程后通过声波、震动或其组合的方法形成穿透所述半导体衬底的裂痕，不需要后续的裂片工艺便可实现半导体单元的分离。

主权项

一种半导体单元的分离方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；2）将所述半导体原件粘附于一贴膜；或将所述半导体原件粘附于一基板上；3）依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内形成由多个切割孔组成的切割阵列；4）通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透所述半导体衬底的裂痕；5）对所述贴膜进行扩膜；或将粘附于所述基板上的半导体原件转移至一贴膜后对该贴膜进行扩膜，以使各该半导体单元分离。