一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法

摘要

本发明属于晶硅太阳电池技术领域，具体涉及一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法。传统方法采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出的单层SiN减反膜的钝化效果、减反效果及光谱吸收都不能达到最佳。本发明采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）创新性地在多晶硅表面沉积三层不同折射率（其中n内>n中>n外）的SiN减反膜。用此制备方法制备的三层SiN减反膜钝化效果佳，减反效果好，短波区的光谱吸收提高。与传统的单层SiN减反膜工艺相比较，该方法制备出的三层SiN减反膜能有效提高多晶硅太阳电池的光电性能，其中短路电流提高了100mA，光电转换效率提高了1.34%。

主权项

一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法，其特征是采用晶体硅原料，依次经过清洗制绒、扩散、等离子刻蚀、去磷硅玻璃后，用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD），在多晶硅表面进行三次不同折射率（其中n内>n中>n外）SiN减反膜的沉积。