发明名称 | 一种有机无机杂化材料修饰电极及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种有机无机杂化材料修饰电极及其制备方法,该修饰电极由基底电极和有机无机杂化薄膜组成,其中基底电极为贵金属电极,优选金、银、钯或铂;杂化薄膜材料的化学组成为X(en)3Ag2Y4,其中X=Ni、Co、Zn、Cd、Fe或Cu;en为乙二胺;Y=I、Cl或Br,薄膜厚度在500nm-100μm之间。该修饰电极的制备包括以下步骤:对基底电极进行表面预处理;将预处理后的电极浸泡于表面改性溶液中;配制杂化材料母液,并对该母液进行热处理;过滤母液,将修饰后的电极竖直插到滤液中,静置若干时间,得到杂化材料修饰电极。该修饰电极制备过程简便可控,可同时制备多只电极,具有良好的应用前景。 | ||
申请公布号 | CN103033546A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
申请号 | CN201210572318.8 | 申请日期 | 2012.12.25 |
申请人 | 南京工业大学 | 发明人 | 金万勤;石磊;储震宇;任小明 |
分类号 | G01N27/30(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/30(2006.01)I |
代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人 | 徐冬涛;袁正英 |
主权项 | 一种有机无机杂化材料修饰电极,其特征在于由基底电极和有机无机杂化材料基质薄膜组成,其中所述的基底电极为贵金属电极;所述的有机无机杂化材料基质薄膜的化学组成为X(en)3Ag2Y4,其中X为Ni、Co、Zn、Cd、Fe或Cu;en为乙二胺;Y为I、Cl或Br,薄膜厚度在500nm‑100um之间。 | ||
地址 | 210009 江苏省南京市鼓楼区新模范马路5号 |