| 发明名称 | 硅双向触发二极管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件，尤其是一种硅双向触发二极管。硅双向触发二极管，包括二极管本体，所述的二极管本体由N-P-N三层半导体材料制成，具有对称性的二端，对称性的二端对外引出两个电极，所述的二极管本体塑封在环氧树脂管内，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体转折电压和工作参数的涂层。本发明结构简单，二极管本体塑封在环氧树脂管内确保其电气特性不受影响，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体转折电压和工作参数的涂层，方便正确使用。 | ||
| 申请公布号 | CN103035741A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201110301602.7 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 孔明 | 发明人 | 孔明 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人 | 王凌霄 |
| 主权项 | 硅双向触发二极管，包括二极管本体(1)，其特征在于：所述的二极管本体(1)由N‑P‑N三层半导体材料制成，具有对称性的二端，对称性的二端对外引出两个电极(2)，所述的二极管本体(1)塑封在环氧树脂管(3)内，环氧树脂管(3)外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体(1)转折电压和工作参数的涂层(4)。 | ||
| 地址 | 213177 江苏省常州市天宁区城市花园9幢1201室 | ||