| 发明名称 | 导电接合材料、导体接合方法和半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供导电接合材料、导体接合方法和半导体器件制造方法。一种导电接合材料，包含：第一金属颗粒、第二金属颗粒和第三金属颗粒，所述第二金属颗粒的平均颗粒直径大于所述第一金属颗粒的平均颗粒直径，所述第三金属颗粒的平均颗粒直径大于所述第一金属颗粒的平均颗粒直径、相对密度大于所述第一金属颗粒的相对密度并且熔点高于所述第二金属颗粒的熔点。 | ||
| 申请公布号 | CN103028861A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210320844.5 | 申请日期 | 2012.08.31 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 久保田崇;北嶋雅之;山上高丰;石川邦子 |
| 分类号 | B23K35/24(2006.01)I;B23K35/36(2006.01)I;B23K1/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | B23K35/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种导电接合材料，包含：第一金属颗粒；第二金属颗粒，其平均颗粒直径大于所述第一金属颗粒的平均颗粒直径；和第三金属颗粒，其平均颗粒直径大于所述第一金属颗粒的平均颗粒直径，相对密度大于所述第一金属颗粒的相对密度并且熔点高于所述第二金属颗粒的熔点。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||