发明名称 | 非易失性存储器器件及相关的方法和处理系统 | ||
摘要 | 本发明提供一种非易失性存储器器件及相关的方法和处理系统,即提供一种非易失性存储器器件、制造该非易失性存储器器件的方法以及包括该非易失性存储器器件的处理系统。非易失性存储器器件包括:多个内部电极,在与衬底的面基本垂直的方向上延伸;多个第一外部电极,与衬底的面基本平行地延伸;以及多个第二外部电极,也与衬底的面基本平行地延伸。每个第一外部电极位于相应的内部电极的第一侧,而每个第二外部电极位于相应的内部电极的第二侧。这些器件还包括:多个可变电阻器,与内部电极、第一外部电极和第二外部电极接触。 | ||
申请公布号 | CN101533848B | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
申请号 | CN200910118570.X | 申请日期 | 2009.03.04 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 白寅圭;沈贤准;赵金石;林恩京 |
分类号 | H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 刘光明;穆德骏 |
主权项 | 一种非易失性存储器器件,包括:多个内部电极,所述多个内部电极在与衬底的面基本垂直的方向上延伸;多个第一外部电极,所述多个第一外部电极与所述衬底的面基本平行地延伸,其中,每个第一外部电极位于所述内部电极中的相应的一个的第一侧;多个第二外部电极,所述多个第二外部电极与所述衬底的面基本平行地延伸,其中,每个第二外部电极位于所述内部电极中的相应的一个的第二侧;以及多个可变电阻器,其中,每个可变电阻器与所述内部电极中的一个、所述第一外部电极中的一个和所述第二外部电极中的一个接触。 | ||
地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 |