发明名称 一种微流控芯片及其制备方法
摘要 本发明涉及微流控芯片及其制备方法,该微流控芯片包括上下芯片单元,芯片单元的表面包括储液孔、与储液孔连通的流体通道和与流体通道连通的微通道,两芯片单元相互贴合并将微通道封闭在两芯片之间,所述微流控芯片还包括微阀,微阀主体为形成在微通道上的阵列式排列的聚合物的三维微米和三维纳米分级结构、三维微米或三维纳米结构;所述聚合物具有在外场作用下能够对外场产生特定响应,特定响应为聚合物的表面化学组成、上述结构及表面性能中的一种或几种的可逆性转变,从而实现对微通道中微流体的流动状态的可控操作。本发明的微流控芯片中的微阀是原位制备并微型化于微流控芯片上,可实现对微流体的流动的开关渐变控制及开关的快速可逆性转变。
申请公布号 CN102059161B 申请公布日期 2013.04.10
申请号 CN200910237741.0 申请日期 2009.11.18
申请人 中国科学院化学研究所 发明人 聂富强;江雷;朱道本
分类号 B01L3/00(2006.01)I;B01J19/00(2006.01)I;G01N35/00(2006.01)I 主分类号 B01L3/00(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 李柏
主权项 一种微流控芯片,该微流控芯片包括上芯片单元和下芯片单元,所述上芯片单元和/或下芯片单元的表面包括储液孔、与储液孔连通的流体通道和与流体通道连通的微通道,上芯片单元与下芯片单元相互贴合并将微通道封闭在上芯片单元与下芯片单元之间,其特征在于:所述微流控芯片还包括微阀,所述微阀为形成在微通道上的阵列式排列的聚合物的三维微米和三维纳米分级结构、阵列式排列的聚合物的三维微米结构、阵列式排列的聚合物的三维纳米结构中的一种;所述聚合物具有在外场作用下能够对外场产生特定响应,所述特定响应为聚合物的表面化学组成、聚合物的三维微米和三维纳米分级结构、聚合物的三维微米结构、聚合物的三维纳米结构以及聚合物的表面性能中的一种或几种的可逆性转变,从而能够实现对微通道中微流体的流动状态的可控操作;所述外场选自光、电、温度、微流体的pH值和微流体的离子强度中的一种或几种;所述聚合物的表面化学组成的可逆性转变,是聚合物的氧化态与还原态之间的可逆性转变;所述的聚合物的三维微米和三维纳米分级结构的可逆性转变,是聚合物的三维纳米尺度的结构向三维微米尺度的结构进行变化后再变化回三维纳米尺度的结构的可逆转变,以及三维微米尺度的结构向更大尺度的三维微米尺度的结构进行变化后再回到原三维微米尺度;所述的聚合物的三维微米结构的可逆性转变,是聚合物的三维微米尺度的结构向更大尺度的三维微米尺度的结构进行变化后再回到原三维微米尺度;所述的聚合物的三维纳米结构的可逆性转变,是聚合物的三维纳米尺度的结构向更大尺度的三维纳米尺度的结构进行变化后再回到原三维纳米尺度;所述的聚合物的表面性能的可逆性转变,是聚合物的亲水性与疏水性之间或亲油性与疏油性之间的可逆性转变。
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