主权项 |
1.一种半导体中电子自旋有效寿命的连续单光束测试方法,使用连续单激光束(1)、偏振片(2)、1/4波片(3)、1/2波片(5)、偏振分束棱镜(6)、衰减片(9)、平衡光探测器(10)和可变磁场;激光束(1)通过偏振片(2)和1/4波片(3)后变为椭圆偏振光,在半导体样品(4)中激发起电子自旋极化;其特征在于此电子自旋极化会导致法拉第效应,使透过样品(4)的椭圆偏振光的主轴旋转一个角度,并且此转角随样品面内施加不同的磁场强度B而变化;在样品(4)后设置1/2波片(5),同时去除衰减片(9);首先,暂时去除样品(4)和设置B=0,旋转1/2波片(5),直至平衡光探测器(10)的输出电压(11)为零,并保持1/2波片(5)在此状态;然后,再将样品(4)放回;使用平衡光探测器(10)测量此转角变化对应的输出电压V<sub>f</sub>随磁场强度的变化曲线,并用方程(1)拟合该曲线,则可以获得电子自旋的有效寿命τ<sup>*</sup>;<img file="FSB00000967350900011.GIF" wi="1165" he="131" />式中ω为电子自旋绕磁场B的拉莫尔进动角频率,即<img file="FSB00000967350900012.GIF" wi="271" he="49" />此处g为半导体中电子的g因子,μ<sub>B</sub>为玻尔磁子,是物理常数,<img file="FSB00000967350900013.GIF" wi="25" he="36" />为普朗克常数除以2π;V<sub>f0</sub>为磁场等于零时,平衡光探测器的输出电压。 |