一种倒装芯片结构的发光二极管装置

摘要

本发明揭示一种倒装芯片结构的发光二极管装置，包含：一基板；一n-GaN层，形成于该基板的一表面上；一磊晶层，形成于该n-GaN层上；一p-GaN层，形成于该磊晶层上；一第一电极，具有第一极性，且形成于该p-GaN层上，该第一电极实质上覆盖该p-GaN层；及一第二电极，形成于该n-GaN层上，并具有一相反于该第一极性的一第二电极。上述发光二极管装置借由增加电极的接触面积而提高光取出效率及散热效率。

主权项

一种发光二极管装置，包含：一基板，具有一第一表面及一相对于该第一表面的第二表面；一n‑GaN层，形成于该基板的该第一表面上；一磊晶层，形成于该n‑GaN层上；一p‑GaN层，形成于该磊晶层上；一第一电极，具有一第一极性，形成于该p‑GaN层上，该第一电极覆盖该p‑GaN层；以及一第二电极，具有一相反于该第一电极的第一极性的第二极性，形成于该n‑GaN层上，其中该第一电极远离该基板的一表面与该第二电极远离该基板的一表面为平面且共平面。