一种新型的GaN基绿光发光二极管器件

摘要

本实用新型涉及一种新型的GaN基绿光发光二极管器件，所述的器件结构包括依次层叠的倾角衬底、第一种半导体载流子注入层、多量子阱结构、第二种半导体载流子注入层。本实用新型具有更高的发光效率和更好的反向电流电压特性，并且制备方法简单，工艺过程易控制，适合量产，对生长设备和工艺条件无特殊要求。

主权项

一种新型的GaN基绿光发光二极管器件，其特征在于：所述的发光二极管器件结构包括依次层叠的倾角衬底、第一种半导体载流子注入层、多量子阱结构、第二种半导体载流子注入层，倾角衬底为衬底生长窗口表面与外延材料晶格取向面倾斜为0.25‑0.55°形成。