| 发明名称 | 一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法，包括：A、模板：准备具有均匀分布的通孔的模板，所述模板包括：氧化铝模板、苯胺模板、多肽膜；B、直流电沉积：b1、直流电沉积：将步骤a4制得的氧化铝模板的一面溅射上一层银作为阴极，待镀金属作阳极，放入电镀槽中，待镀金属盐溶液为电镀液；以及b2、参数控制：在步骤b1的阴极、阳极间加上设定的电压，保持电路电流恒定在2～4V，控制沉积时间，即得到生长在模板孔中的密排六方金属纳米线阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN103031583A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201210174834.5 | 申请日期 | 2012.05.31 |
| 申请人 | 上海理工大学 | 发明人 | 田丰;陈宏斌;蹇敦亮;刘毅 |
| 分类号 | C25D11/34(2006.01)I | 主分类号 | C25D11/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人 | 郁旦蓉 |
| 主权项 | 一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法，包括以下步骤：A、模板：准备具有均匀分布的通孔的模板，所述模板包括：氧化铝模板、多肽膜；B、直流电沉积：b1、直流电沉积：将模板的一面溅射上一层银作为阴极，待镀金属作阳极，放入电镀槽中，待镀金属盐溶液为电镀液；以及b2、参数控制：在步骤b1的阴极、阳极间加上设定的电压，保持电路电压恒定，控制沉积时间，即得到生长在模板孔中的密排六方晶体结构的镍纳米线阵列。 | ||
| 地址 | 200093 上海市杨浦区军工路516号 | ||