| 发明名称 | 低电容高速传输半导体浪涌保护器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低电容高速传输半导体浪涌保护器件，包括平面型固体放电管芯的硅片基底两面、镜像对称扩散基区和发射区，其中在该平面型固体放电管芯两表面的基区的四角处设有氧化区域。其反应迅速，性能稳定，长期使用性能不下降。 | ||
| 申请公布号 | CN103035695A | 申请公布日期 | 2013.04.10 |
| 申请号 | CN201110302276.1 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 江苏锦丰电子有限公司 | 发明人 | 史田元;胡蛇庆 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H02H9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人 | 夏平 |
| 主权项 | 一种低电容高速传输半导体浪涌保护器件，包括平面型固体放电管芯的硅片基底两面、镜像对称扩散基区和发射区，其特征在于在该平面型固体放电管芯两表面的基区的四角处设有氧化区域。 | ||
| 地址 | 214205 江苏省无锡市宜兴环保科技工业园绿园路508号 | ||