沟槽形半导体结构的形成方法

摘要

本发明公开了沟槽形半导体结构的形成方法，本发明利用在多晶硅或非晶硅中掺入C填充沟槽，或者利用多晶SiC或非晶SiC以代替多晶硅或非晶硅填充沟槽，可以降低器件的应力，从而防止由于多晶或非晶硅的应力导致的硅内部的缺陷，可以获得低应力低缺陷密度的沟槽栅半导体结构或低电阻沟槽通路。

主权项

一种沟槽形半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在硅衬底或硅外延上形成沟槽；2）全硅片进行热氧化膜生长，在沟槽顶部及侧壁形成氧化硅；3）利用含C的多晶硅或非晶硅填充沟槽，或者利用多晶SiC或非晶SiC填充沟槽；4）利用干法刻蚀或化学机械研磨方法去除沟槽顶部的多晶或非晶薄膜以及氧化硅。