静电放电保护装置

摘要

本发明提供了一种静电放电保护装置，在PNPN结构中引入静电放电(ESD)掺杂注入层，并且通过调整ESD掺杂注入层的注入能量及剂量以决定合适的触发电压，通过调整ESD掺杂注入层的尺寸以得到合适的维持电压，防止造成闩锁效应问题。本发明提供的静电放电保护装置基于外延圆片高压工艺或者绝缘衬底上的硅(SOI)圆片高压工艺下形成的自隔离效果，既可以防止器件受噪声影响被误触发，又便于将单个静电放电保护单元以串联的方式提高触发电压。

主权项

一种静电放电保护装置，其特征在于，包括至少两个静电放电保护单元，所述静电放电保护单元包括：P型基底；P型外延层，位于P型基底的一侧；N型埋层，位于P型基底中相邻于P型外延层的一侧，并位于P型外延层中；第一N型阱，位于N型埋层相对于P型基底的另一侧，并处于P型外延层中；第一P型阱，与第一N型阱相邻地位于N型埋层相对于P型基底的另一侧，并处于P型外延层中；第二N型阱，与第一P型阱相邻地位于N型埋层相对于P型基底的另一侧，并处于P型外延层中；ESD掺杂注入层，位于第一P型阱与第一N型阱中；第一N+型区，第一P+型区，位于ESD掺杂注入层中；第二N+型区，第二P+型区，位于第一型阱中，该第一型阱位于ESD掺杂注入层外，并且与ESD掺杂注入层的载流子类型相反；所述至少两个静电放电保护单元相互串联。