高压集成电路设备

摘要

高压集成电路设备，其中形成有高压结终止区，该高压结终止区通过由n-阱区（4）形成的击穿电压区、由p-区（61）形成的地电位区、第一接触区（61）和第二接触区（62）来构成。该高压结终止区的对向区段（E），其至由p-漏区（34）形成的中间电位区的距离（W）小于其他区段至该中间电位区的距离，被提供为具有高于该其他区段的电阻的电阻。相应地，由p-区（61）和n-阱区（4）形成的寄生二极管（46）的阴极电阻增加，局部地减少了在负电压浪涌输入时被注入的电子空穴的量。作为结果，当负电压浪涌被输入至H-VDD端子或Vs端子时，可防止高侧电路的逻辑部分的错误操作或损坏。

主权项

一种高压集成电路设备，所述高压集成电路设备是驱动两个串联连接的功率晶体管中的高电位侧功率晶体管的高压半导体集成电路设备，所述高压半导体集成电路设备包括：在第一导电型的半导体衬底的表面层上形成的第二导电型的高电位区；第二导电型的击穿电压区，所述击穿电压区在所述半导体衬底的所述表面层上与所述高电位区相接触并在所述半导体衬底的所述表面层上沿着所述高电位区的外周形成，且所述击穿电压区具有比所述高电位区低的杂质浓度；第一导电型的地电位区，所述地电位区在所述半导体衬底的所述表面层上与所述击穿电压区相接触且沿着所述击穿电压区的外周形成，并被施加以地电位；第二导电型的低电位区，所述低电位区在所述半导体衬底的所述表面层上形成所述地电位区之外的区域；第一导电型的中间电位区，所述中间电位区在所述高电位区内形成从而接合至所述高电位区且与所述高电位区分隔开；第二导电型的第一接触区，所述第一接触区沿着位于所述高电位区侧上的所述击穿电压区的端部形成；第一导电型的第二接触区，所述第二接触区在所述地电位区的表面层上形成从而面对所述第一接触区；与所述第一接触区相接触的第一信号电极；以及与所述第二接触区相接触的第二信号电极，其中所述中间电位区是被施加位于高压电源的高电位侧电位和地电位之间的中间电位的区域，所述高压电源是所述两个串联连接的功率晶体管的主电路电源，所述低电位区是基于地电位向其施加第一低电压电源的高电位侧电位的区域，所述高电位区是基于中间电位向其施加第二低电压电源的高电位侧电位的区域，形成高压结终止区，所述高压结终止区是由所述击穿电压区、所述地电位 区、所述第一接触区和所述第二接触区构成的，以及在所述高压结终止区至所述中间电位区的距离小于其他区段至所述中间电位区的距离的区段中，所述第一信号电极和所述第二信号电极之间的电流路径的电阻高于其他区段。