一种芯片嵌入式堆叠圆片级封装结构

摘要

本实用新型涉及一种芯片嵌入式堆叠圆片级封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。它包括IC芯片Ⅰ（1）、IC芯片Ⅱ（2）、金属微结构（3）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）、填充料（6）、保护层（7）、金属柱（8）和焊球凸点（9），所述芯片I（1）与芯片II（2）面对面设置在高密度布线层（4）的上下侧，所述芯片（1）扣置于型腔（51）内并与高密度布线层（4）键合，所述保护层（7）包覆IC芯片Ⅱ（2）和金属柱（8），封装体内电信号通过电极（43）和金属柱（8）传导至封装体外。本实用新型的封装成本低、封装结构支撑强度高、封装良率高、实现多个芯片在三维空间面对面叠加排布，适用于半导体的薄型封装。

主权项

一种芯片嵌入式堆叠圆片级封装结构，所述封装结构包括带有芯片电极Ⅰ（11）的IC芯片Ⅰ（1）、带有芯片电极Ⅱ（21）的IC芯片Ⅱ（2）、金属微结构（3）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）和焊球凸点（9），所述金属微结构（3）包括金属微柱（31）和设置在金属微柱（31）顶部的金属微凸点（32），所述高密度布线层（4）包括介电层（41）和设置在介电层（41）内部的再布线金属走线（42），所述硅腔体（5）的正面设有型腔（51），其特征在于：所述再布线金属走线（42）的上下端设置有金属电极（43），所述金属电极（43）包括金属电极Ⅰ（431）、金属电极Ⅱ（432）和金属电极Ⅲ（433），所述金属电极Ⅰ（431）设置在再布线金属走线（42）的上端，金属电极Ⅱ（432）和金属电极Ⅲ（433）设置在再布线金属走线（42）的下端；所述硅腔体（5）设置在高密度布线层（4）的上表面，所述IC芯片Ⅰ（1）正面朝向高密度布线层（4）设置在型腔（51）内，所述IC芯片Ⅰ（1）的芯片电极Ⅰ（11）通过金属微结构（3）与金属电极Ⅰ（431）的上端面连接， 所述IC芯片Ⅱ（2）设置在高密度布线层（4）的下表面，芯片电极Ⅱ（21）通过金属微结构（3）与金属电极Ⅱ（432）的下端面连接，所述金属电极Ⅲ（433）的下端面设置金属柱（8）；所述高密度布线层（4）的背面设置保护层（7），所述保护层（7）包覆IC芯片Ⅱ（2）和金属柱（8），保护层（7）的下表面设置焊球凸点端之金属电极（91），所述焊球凸点端之金属电极（91）与金属电极Ⅲ（433）通过金属柱（8）连接，所述焊球凸点（9）与焊球凸点端之金属电极（91）的下端面连接。