发明名称 |
垂直腔面发射激光器及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制造方法,该垂直腔面发射激光器能够减小寄生电容同时抑制功耗。该垂直腔面发射激光器包括柱形台面,柱形台面在衬底上从衬底侧依次包括第一多层反射器、有源层、第二多层反射器,还包括电流窄化层。台面的包括有源层和电流窄化层的柱形部分形成在与第一多层反射器相对的区域和与第二多层反射器相对的区域内,且该柱形部分的截面面小于第二多层反射器的截面面积。 |
申请公布号 |
CN101800398B |
申请公布日期 |
2013.04.10 |
申请号 |
CN201010107943.6 |
申请日期 |
2010.02.01 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
增井勇志;荒木田孝博;成瀬晃和;幸田伦太郎;城岸直辉 |
分类号 |
H01S5/187(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/187(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种垂直腔面发射激光器,包括:柱形台面,在衬底上从所述衬底侧依次包括第一多层反射器、有源层、第二多层反射器,还包括电流窄化层,其中所述台面的包括所述有源层和所述电流窄化层的柱形部分形成在与所述第一多层反射器相对的区域和与所述第二多层反射器相对的区域内,所述柱形部分的截面面积小于所述第二多层反射器的截面面积,以及在所述台面的顶面上还包括具有光发射出口的环形电极,其中所述柱形部分的侧面的一部分位于所述电极的外边缘的内侧。 |
地址 |
日本东京都 |