一种表面织构的太阳电池用半导体基片及其制备方法

摘要

本发明首先提供一种表面织构的太阳电池用半导体基片的制备方法：将未经过表面织构的硅半导体基片放在电解液中，以10～30mA/cm2的电流密度，在15～30℃下阳极氧化腐蚀50～90分钟；所述电解液包括氢氟酸、有机添加剂，物质的量比氢氟酸∶有机添加剂＝1∶10～1∶1，所述有机添加剂为C1～C10的醇和/或酮。本发明进而提供一种用上述方法得到表面织构的太阳电池用半导体基片，其织构结构是不规则凹凸结构，其特征在于，所述不规则凹凸结构的凹部的最大深度与其最大直径之比的平均值为0.2～0.5。本发明提供的表面织构的太阳电池用半导体基片可以使受光面300～1000nm波长范围的入射光的反射率降低到26％以下。

主权项

一种表面织构的太阳电池用硅半导体基片的制备方法，具体步骤如下：将未经过表面织构的硅半导体基片放在电解液中，以10～30mA/cm2的电流密度，在15～30℃下阳极氧化腐蚀50～90分钟；所述电解液包括氢氟酸、有机添加剂，物质的量比氢氟酸∶有机添加剂＝1∶10～1∶1，所述有机添加剂为C1～C10的醇和C1～C10的酮的组合或C1～C10的醇。