| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de type silicium sur isolant comprenant les étapes suivantes : (a) la fourniture d'un substrat donneur (31) et d'un substrat support (1), l'un seulement desdits substrats étant recouvert d'une couche d'oxyde (2), (b) la formation dans le substrat donneur (31) d'une zone de fragilisation (32), (c) l'activation plasma de ladite couche d'oxyde (2), (d) le collage du substrat donneur (31) sur le substrat support (1) sous un vide partiel, (e) un recuit de consolidation à une température inférieure ou égale à 350°C, conduisant à la fracture du substrat donneur (31) selon la zone de fragilisation (32), (f) un traitement thermique à une température supérieure à 900°C ; le passage de la température de l'étape (e) à celle de l'étape (f) étant réalisé avec une rampe supérieure à 10°C/s.</p> |
