| 摘要 |
Procédé de réalisation d'une liaison traversante électriquement conductrice au sein d'un premier support semi-conducteur (SCI) ayant une face avant et comportant un substrat de silicium, ledit procédé comprenant: - une formation d'une première couche isolante au dessus de ladite face avant du premier support semi-conducteur, - une réalisation d'une poignée de maintien comprenant au sein d'un support semi-conducteur additionnel rigide (SR) comportant une couche intermédiaire semi-conductrice (SCI) une formation de part et d'autre de ladite couche intermédiaire semi-conductrice d'une région poreuse (RP) et d'une couche isolante additionnelle (ISOA), - un collage direct de ladite première couche isolante et de ladite couche isolante additionnelle, - un amincissement du substrat de silicium dudit premier support semi-conducteur de manière à former une face arrière opposée à ladite face avant, ladite liaison traversante électriquement conductrice étant réalisée depuis ladite face arrière postérieurement à l'étape d'amincissement ou depuis ladite face avant préalablement à l'étape d'amincissement, ladite liaison électrique débouchant alors après amincissement sur ladite face arrière. |
