METHOD FOR FABRICATING AN OPTOELECTRONIC NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR COMPONENT

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements angegeben, bei dem eine Pufferschicht (2) aus einem Aluminium enthaltenden Nitrid-Verbindungshalbleiter auf die Siliziumoberfläche eines Aufwachssubstrats (1) aufgewachsen wird. Nachfolgend werden eine Verspannungsschichtstruktur (11) zur Erzeugung einer kompressiven Spannung und eine funktionelle Halbleiterschichtenfolge (12), welche eine aktive Schicht (9) aufweist, aufgewachsen. Die Verspannungsschichtstruktur (11) umfasst eine erste GaN- Halbleiterschicht (4) und eine zweite GaN-Halbleiterschicht (7), wobei in die erste GaN-Halbleiterschicht (4) eine Maskierungsschicht (5) eingebettet ist, zwischen der ersten GaN-Halbleiterschicht (4) und der zweiten GaN- Halbleiterschicht (7) eine AI (Ga) N-Zwischenschicht (6) zur Erzeugung einer kompressiven Spannung angeordnet ist, und die Verspannungsschichtstruktur (11) keine weiteren Al(Ga)N- Zwischenschichten (6) enthält.