发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung |
摘要 |
Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung wird ein dielektrischer Isolationsträger (20) mit einer Oberseite (20t) und einer auf der Oberseite (20t) angeordneten oberen Metallisierungsschicht (21) bereitgestellt. Ebenso bereitgestellt werden ein Halbleiterchip (1) und wenigstens ein elektrisch leitender Kontaktpin (3), wobei jeder Kontaktpin (3) ein erstes Ende (31) und ein dem ersten Ende (31) entgegengesetztes zweites Ende (32) aufweist. Der Halbleiterchip (1) wird durch Sintern oder Diffusionslöten mit der oberen Metallisierungsschicht (21) verbunden. Zwischen dem ersten Ende (31) und der oberen Metallisierungsschicht (21) Material des Kontaktpins (3) in direkten physischen Kontakt mit dem Material der oberen Metallisierungsschicht (31) gebracht wird. |
申请公布号 |
DE102012215055(A1) |
申请公布日期 |
2013.04.04 |
申请号 |
DE201210215055 |
申请日期 |
2012.08.24 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
STOLZE, THILO;STROTMANN, GUIDO;GUTH, KARSTEN |
分类号 |
H01L21/60;H01L21/50 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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