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Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung, mit den Schritten:–Ausbilden eines dünnen Schaltungsblocks auf dem Muttersubstrat,–Befestigen von Halbleiterchips auf dem Schaltungsblock,–Ausbilden auf einer Verdrahtungsschicht oder Verbindungsschicht des Schaltungsblocks einer Versiegelungsharzschicht, welche die Halbleiterchips versiegelt,–Separieren oder Trennen des Schaltungsblocks mit den darauf befestigten Halbleiterchips von einer Ablöseschicht, welche auf dem Muttersubstrat ausgebildet ist, zum–Befestigen durch Verbinden des Schaltungsblocks auf einer Hauptoberfläche einer Hauptplatine, wobei der Schritt des Ausbildens des Schaltungsblocks die Schritte aufweist:–Ausbilden der Ablöseschicht auf einer planarisierten Hauptoberfläche des Muttersubstrats,–Ausbilden einer Isolationsschicht auf der Ablöseschicht und–Strukturieren der Verdrahtungsschicht auf der Isolationsschicht, und zwar mit einer Mehrzahl externer Verbindungsbereiche,–bei welchem nach dem Schritt des Ausbildens der Versiegelungsharzschicht und vor dem Schritt des Ablösens des Schaltungsblocks vom Muttersubstrat ein Schritt des Polierens der Halbleiterchips und...
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