| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, bei dem ein Lumineszenzdiodenchip (10) an einer Grundfläche (8) auf den ersten Anschlussbereich (1) eines Trägers (3) montiert wird. Eine elektrisch isolierende Schicht (4) wird auf Seitenflanken (17) des Lumineszenzdiodenchips (10) aufgebracht. Nachfolgend wird eine elektrisch leitfähige Schicht (5), welche von einem zweiten Anschlusskontakt (12) des Lumineszenzdiodenchips (10) über die elektrisch isolierende Schicht (4) zu einem zweiten Anschlussbereich (2) auf dem Träger (3) führt, aufgebracht. Es wird eine Fotolackschicht (7) auf die elektrisch leitfähige Schicht (5) aufgebracht, die durch Anlegen einer elektrischen Spannung an den Lumineszenzdiodenchip (10), so dass der Lumineszenzdiodenchip (10) Strahlung (23) emittiert, belichtet wird. Nach dem Entwickeln der Fotolackschicht (7) wird ein auf der Strahlungsaustrittsfläche (9) angeordneter Teil der elektrisch leitfähigen Schicht (5) mit einem Ätzprozess, bei dem die Fotolackschicht (7) als Maske dient, entfernt. |
