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Un método para fabricar un dispositivo eléctrico que tiene una capacitancia o capacidad dependiente de voltaje otensión por medio de un proceso CMOS convencional que comprende las operaciones de: formar una región de pozo (82) en un sustrato semiconductor (80); formar una primera capa de aislamiento sobre la superficie de la región de pozo; formar una primera capa de poli-silicio sobre la capa de aislamiento; formar una primera capa de máscara sobre la capa de poli-silicio; exponer la primera capa de máscara y atacar químicamente la capa de máscara; atacar químicamente el poli-silicio en áreas donde la primera capa de mascara ha sido atacada químicamentepara formar una primera región de electrodo (86); quitar el resto de la primera capa de máscara; formar una segunda región de electrodo que comprende una pluralidad de regiones de dedos (83, 84, 91),separadas por regiones de separación, la primera región de electrodo (86) extendiéndose a lo largo de losbordes de las regiones de los dedos (83, 84, 91), y las regiones de los dedos empleando la primera región deelectrodo como una máscara; y la segunda región de electrodo comprendiendo además una región desemiconductor (90) que conecta las regiones de los dedos (83, 84, 91).
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