发明名称 |
极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池 |
摘要 |
本发明公开了一种极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池,其结构由下至上依次为:衬底、GaN层、全应变弛豫高In组分InyGa1-yN层、InGaN超晶格层、高In组分n-InyGa1-yN层、高In组分i-InxGa1-xN层、高In组分p-InyGa1-yN层、p-GaN覆盖层;在高In组分n-InyGa1-yN层上引出负电极,在p-GaN覆盖层上引出正电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的,全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力,可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率;另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间,品格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变,可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。 |
申请公布号 |
CN103022211A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210580088.X |
申请日期 |
2012.12.28 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
陈敦军;张开骁;张荣;郑有炓 |
分类号 |
H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/075(2012.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种极化增强的p‑i‑n结InGaN太阳电池,其特征在于,其结构由下至上依次为:衬底(1)、GaN层(2)、全应变弛豫高In组分InyGa1‑yN层(3)、InGaN超晶格层(4)、高In组分n‑InyGa1‑yN层(5)、高In组分i‑InxGa1‑xN层(7)、高In组分p‑InyGa1‑yN层(8)、p‑GaN覆盖层(9);在高In组分n‑InyGa1‑yN层(5)上引出负电极(6),在p‑GaN覆盖层(9)上引出正电极(10)。 |
地址 |
210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 |