发明名称 |
一种电流泵浦产生表面等离激元激光的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种电流泵浦产生表面等离激元激光的方法,包括:采用平板半导体工艺,以GaAs/AlGaAs等材料制作异质结,产生二维电子气;在半导体表面以金、银、铜、铝等材质制备金属纳米波导为表面等离激元光学微腔;在微腔附近制作金属电极,通电后形成半导体双量子点;调整各金属电极上的电压可以控制半导体双量子点内部结构,从而使得流过半导体双量子点的电流能在波导微腔中泵浦产生表面等离激元光子。本发明实现的表面等离激元激光产生办法能通过电流探测表面等离激元激光态,具有探测方便、器件形貌简单、结构紧凑、易与外部电路集成等特点。 |
申请公布号 |
CN103022899A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210553311.1 |
申请日期 |
2012.12.18 |
申请人 |
上海电机学院 |
发明人 |
钟旭 |
分类号 |
H01S5/343(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/343(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种电流泵浦产生表面等离激元激光的方法,其特征在于包括:第一步骤,用于制备半导体异质结,并且在离该半导体异质结表面约1‑100nm处形成二维电子气;第二步骤,用于在半导体异质结表面制作纳米金属波导,所述纳米金属波导将作为泵浦产生表面等离激元光子的光学微腔;第三步骤,用于在离表面等离激元波导平面距离1‑100nm处制作半导体双量子点结构。 |
地址 |
200240 上海市闵行区江川路690号 |