| 发明名称 | 一种铜铟镓硒薄膜电池透明导电层结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种铜铟镓硒薄膜电池透明导电层及其制造方法，属于光电材料新能源技术领域。该铜铟镓硒薄膜电池包括上电极（Ni/Al），透明导电层（ZnO：Al），窗口层（ZnO）,缓冲层（CdS），吸收层（P型CuInGaSe2），背电极（Mo）和衬底（玻璃/不锈钢等）。其透明导电层具有“类金字塔”表面陷光结构，为含Al掺杂ZnO薄膜。本发明所提供的“类金字塔”表面陷光结构，可增大光吸收的表面积，能有效地降低反射率，从而降低光学损失并提高电池转化效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103022173A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210531568.7 | 申请日期 | 2012.12.10 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 汤勇;彭洁旻;杨晓军;万珍平;陆龙生;袁伟;梁元敏;钟福回 |
| 分类号 | H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0236(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 蔡茂略 |
| 主权项 | 一种铜铟镓硒薄膜电池透明导电层结构，包括铜铟镓硒透明导电层，其特征在于：所述导电层具有表面陷光结构，该表面陷光结构为类金字塔形。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||