一种低寄生电感的IGBT功率模块

摘要

本发明提供一种低寄生电感的IGBT功率模块，包括上桥臂IGBT芯片、下桥臂IGBT芯片、上桥臂反并二极管芯片、下桥臂反并二极管芯片，下桥臂反并二极管芯片压接在上桥臂IGBT芯片表面，下桥臂反并二极管芯片的阴极与上桥臂IGBT芯片的发射极直接相连；下桥臂IGBT芯片与上桥臂反并二极管芯片分别置于相邻放置的基板上。本发明采用任意类型的IGBT芯片与任意类型的反并二极管的组合。一方面，本发明采用反向压接的办法，最大限度的将回路中的电感降到最低，使得应用中的开关回路避免出现过大的振荡和尖峰，另一方面，本发明减小了模块中芯片的占用面积，从而达到降低模块尺寸的目的，为实际应用带来便利。

主权项

一种低寄生电感的IGBT功率模块，包括相互换流的第一开关回路(11)和第二开关回路(12)，其特征是：第一开关回路(11)包括上桥臂IGBT芯片(2)、下桥臂反并二极管芯片(3)，第二开关回路(12)包括下桥臂IGBT芯片(7)、上桥臂反并二极管芯片(8)；下桥臂反并二极管芯片(3)压接在上桥臂IGBT芯片(2)表面，下桥臂反并二极管芯片(3)的阴极与上桥臂IGBT芯片(2)的发射极直接相连，上桥臂IGBT芯片(2)的表面通过第一焊线(4)引出第一开关回路的桥臂中心，下桥臂反并二极管芯片(3)的阳极通过第二焊线(5)引出接地端，上桥臂IGBT芯片(2)压接在第一基板(1)上；下桥臂IGBT芯片(7)与上桥臂反并二极管芯片(8)分别置于相邻放置的第二基板(6)和第三基板(9)上，第二基板(6)作为第二开关回路的桥臂中心，第三基板(9)连接上桥臂反并二极管芯片(8)的阴极，下桥臂IGBT芯片(7)的发射极通过第三焊线(10)引出接地端，上桥臂反并二极管芯片(8)通过第四焊线(13)连接第二基板(6)。