发明名称 一种纳米器件电学测试用钨探针的制备方法及制备装置
摘要 本发明公开了一种纳米器件电学测试用钨探针的制备方法及制备装置,该方法原理是通过电化学腐蚀钨丝获得钨探针,其中钨丝作为阳极并浸泡在电解液中,当通过钨丝的电流降低至20mA时,开始提升钨丝;当钨丝被腐蚀断开的瞬间,反向电流使钨丝作为阴极,并提升钨丝离开电解液,获得钨探针。通过本发明能制备大长径比的钨探针;同时通过检测钨丝断开时的反向电流,即可预估钨探针的尖端锥角,从而节省了传统的后续需要电子扫描显微镜观察确认的时间和成本。
申请公布号 CN103014826A 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201210519184.3 申请日期 2012.12.06
申请人 东南大学 发明人 吴幸;于开浩;孙立涛
分类号 C25F3/08(2006.01)I 主分类号 C25F3/08(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 柏尚春
主权项 一种纳米器件电学测试用钨探针的制备方法,通过电化学腐蚀钨丝获得钨探针,其中钨丝作为阳极并浸泡在电解液中,其特征在于:当通过钨丝的电流降低至20mA时,开始提升钨丝;当钨丝被腐蚀断开的瞬间,反向电流使钨丝作为阴极,并提升钨丝离开电解液,获得钨探针。
地址 210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号