发明名称 | 用于制造集成电路系统的方法 | ||
摘要 | 本发明提供用于制造集成电路系统的方法,其包括在一半导体衬底中及上形成集成电路。蚀刻进入半导体衬底正面的通孔以及用导电材料填充所述通孔。提供有一载体晶片,在其上具有一胶粘剂层以及在该胶粘剂层中形成一压印图案。用该带图案的胶粘剂层使该半导体衬底的正面粘合至该载体晶片。去除该半导体衬底的背面的一部分以暴露该导电材料的一部分以及使该薄化的背面附着至第二衬底。然后,使该半导体衬底自该载体晶片脱粘。 | ||
申请公布号 | CN103021921A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
申请号 | CN201210356341.3 | 申请日期 | 2012.09.21 |
申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | 任明镇 |
分类号 | H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
主权项 | 一种用于制造集成电路系统的方法,其包含下列步骤:在一半导体衬底中及上形成集成电路;蚀刻进入该半导体衬底的正面的通孔;用一导电材料填充所述通孔;提供有一载体晶片,在其上具有一胶粘剂层;在该胶粘剂层中形成一压印图案;用该带图案的胶粘剂层使该半导体衬底的该正面粘合至该载体晶片;去除该半导体衬底的背面的一部分以暴露该导电材料的一部分;使该背面附着至第二衬底;以及使该半导体衬底自该载体晶片脱粘。 | ||
地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 |